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onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
08/25/2026
全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
08/25/2026
具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
07/30/2026
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
07/30/2026
具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
onsemi NZ8P齐纳保护二极管
onsemi NZ8P齐纳保护二极管
11/19/2025
旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。
onsemi NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
11/16/2025
采用紧凑型设计，封装尺寸为5mm x 6mm SO8-FL，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
10/14/2025
该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
10/14/2025
封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
10/13/2025
该器件性能优异，具有低导通损耗和低开关损耗。
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
10/13/2025
该器件性能优异，具备低通态电压与低开关损耗。
onsemi T10低/中压MOSFET
onsemi T10低/中压MOSFET
10/06/2025
40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
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    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    09/01/2026
    Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    08/27/2026
    具有微处理器驱动支持和高抗噪的敏感型SCR。
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    08/25/2026
    具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    08/25/2026
    全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    08/19/2026
    该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    08/17/2026
    Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
    08/17/2026
    Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    08/14/2026
    Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    08/14/2026
    Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    08/14/2026
    Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    08/12/2026
    适用于高压电源转换的超快和特快DPAK回流整流器。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08/12/2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    08/11/2026
    具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    08/10/2026
    设计用于高效大功率开关应用。
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    08/10/2026
    专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    08/04/2026
    用于CAN、CAN FD、CAN SIC和CAN XL网络的汽车级ESD保护二极管。
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    07/30/2026
    设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    07/30/2026
    具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    07/21/2026
    紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    07/20/2026
    节省空间，非常适合用于自动化组装，也适合直流相控应用。
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