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Qorvo QPD1000A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1000A GaN输入匹配晶体管
10/14/2026
50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，采用28V电源轨供电，工作频率范围为30MHz至1215MHz。
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管
10/06/2026
220W分立式GaN-on-SiC HEMT，工作频率为1.2GHz至1.4GHz。
Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
10/06/2026
该器件是一款200W至300W分立GaN-on-SiC HEMT，工作频率范围为2.5GHz至2.9GHz和2.9GHz至3.3GHz。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET模块
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET模块
10/02/2026
适用于电动商用车牵引逆变器的1400V CoolSiC MOSFET模块。
onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
09/17/2026
80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。
Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
09/16/2026
该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
09/09/2026
旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
09/01/2026
简化并加速数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
08/25/2026
全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
08/25/2026
具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
08/11/2026
具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
08/10/2026
专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
08/10/2026
设计用于高效大功率开关应用。
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
07/30/2026
具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
07/30/2026
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
06/19/2026
具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
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