碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,480
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 45

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET T2PAK SIC 650V M2
数据表
640库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 64
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET T2PAK SIC 650V M3S 12MR
数据表
720库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 72
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 112 A 16.8 mOhms - 10 V, 22 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET T2PAK SIC 650V M3S 16MR
数据表
582库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 58
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 85 A 23.4 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET T2PAK SIC 650V M2
数据表
537库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 54
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET T2PAK SIC 650V M3S 23MR
数据表
781库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 70
: 800

SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
数据表
87库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
数据表
434库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
255库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
数据表
32库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
159库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
167库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
数据表
182库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
数据表
5库存量
960在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
数据表
126库存量
240预期 2026/11/5
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
数据表
66库存量
206预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 111 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 196 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
数据表
210库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 50 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 78 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
数据表
564库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,920库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
数据表
565库存量
最低： 1
倍数： 1

CoolSiC