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Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
02/03/2026
可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
06/03/2025
1200V、1A或2A超快整流器，采用SlimSMA HV (DO-221AC)封装。
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
05/20/2025
Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.
Vishay 表面贴装PAR®瞬态电压抑制器
Vishay 表面贴装PAR®瞬态电压抑制器
04/17/2025
非常适用于保护敏感电子产品免受雷电引起的电压瞬变。                        
Vishay 玻璃钝化单相桥式整流器
Vishay 玻璃钝化单相桥式整流器
04/17/2025
非常适合用于显示器、打印机和适配器应用的交流/直流桥式全波整流。
Vishay SxBx表面贴装玻璃钝化整流器
Vishay SxBx表面贴装玻璃钝化整流器
04/03/2025
提供1.0A至5.0A的电流额定值，反向峰值电压范围为400V至1000V。
Vishay VS-EBU15006HN4超快软恢复二极管
Vishay VS-EBU15006HN4超快软恢复二极管
03/25/2025
150A二极管，经过优化，可减少高频功率调节系统中的损耗和EMI/RFI。
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET电源模块
Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET电源模块
03/17/2025
旨在提高中频应用的效率和可靠性。
Vishay VGSOT ESD保护二极管
Vishay VGSOT ESD保护二极管
03/14/2025
采用SOT-23封装，具有低热阻和更大的额定电流和功率。
Vishay VS-SCx0BA120 SiC单相桥式二极管
Vishay VS-SCx0BA120 SiC单相桥式二极管
11/12/2024
高性能、坚固耐用的组件，可在各种应用中实现高效的功率转换。
Vishay SiJK5100E N 通道 MOSFET
Vishay SiJK5100E N 通道 MOSFET
11/11/2024
TrenchFET® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。
Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET
Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET
10/25/2024
采用PowerPAK® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。
Vishay MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET
Vishay MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET
08/26/2024
具有快速开关速度、3μs短路耐受时间和139W 最大功率耗散。
Vishay T15Bx PAR® ESD保护二极管
Vishay T15Bx PAR® ESD保护二极管
08/20/2024
具有结钝化优化设计，采用了钝化各向异性整流器技术。
Vishay GBUE2580单相桥式整流器
Vishay GBUE2580单相桥式整流器
08/20/2024
采用GBU封装，提供低正向压降的单列直插式电路配置。
Vishay SE100PWTLK表面贴装低正向压降 (VF) 标准整流器
Vishay SE100PWTLK表面贴装低正向压降 (VF) 标准整流器
08/20/2024
具有2.8mm爬电距离和间隙距离，外形非常小巧，典型高度为1.3mm。
Vishay SS20KH170肖特基势垒整流器
Vishay SS20KH170肖特基势垒整流器
08/20/2024
高密度表面贴装整流器，在IF = 5A时具有0.6V的超低正向电压。
Vishay SS30KH170/SS30KH170S肖特基势垒整流器
Vishay SS30KH170/SS30KH170S肖特基势垒整流器
08/20/2024
具有超低正向压降的高电流密度表面贴装整流器。 
Vishay MRSE1PK表面贴装快速开关整流器
Vishay MRSE1PK表面贴装快速开关整流器
08/08/2024
一款1A、800V、微型表面贴装快速整流器，非常适合用于自动贴装应用。
Vishay SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET
Vishay SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET
07/01/2024
采用TrenchFET® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。
Vishay transzorb®瞬态电压抑制器
Vishay transzorb®瞬态电压抑制器
06/04/2024
该产品具有出色的钳位能力、非常快的响应时间和低增量浪涌。
Vishay VS-SC SOT-227碳化硅肖特基势垒二极管
Vishay VS-SC SOT-227碳化硅肖特基势垒二极管
05/17/2024
宽带隙、650V/1200V肖特基二极管，设计用于实现高性能和耐用性。
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    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    02/05/2026
    High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    01/20/2026
    600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    01/13/2026
    保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    01/08/2026
    提供超低电容、双向传输和电平保护。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    12/01/2025
    DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
    Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
    11/24/2025
    设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
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