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Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
09/18/2025
PNP双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI 3333-8封装。
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
09/17/2025
提供小尺寸、散热效率高的高密度产品PowerDI 3333-8封装。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
11/14/2024
采用专有结构，可实现超低VCE(SAT) 性能。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
10/01/2024
采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
08/01/2024
20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻RDS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
06/24/2024
设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
05/01/2024
采用紧凑型DFN2020-3封装，其占位面积比SOT-23封装小50%。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
05/01/2024
在保持开关性能的同时，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
04/01/2024
设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
01/01/2024
具有低导通电阻和低输入电容，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
06/02/2023
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
03/30/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，能够尽可能降低导通损耗。
Diodes Incorporated MJD 车规中功率晶体管
Diodes Incorporated MJD 车规中功率晶体管
03/21/2023
这些器件已通过 AEC-Q101 认证，具有 PPAP 功能，并在经过 IATF16949 认证的设施中制造。
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
03/06/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
01/24/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
01/18/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
01/17/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，可确保最低导通状态损耗。
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
11/23/2022
设计用于在雪崩模式下工作的硅平面双极晶体管。
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
05/11/2022
符合AEC-Q101标准的80V、270A N沟道增强模式MOSFET，采用PowerDI®1012-8 (TOLL) 封装。
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
01/20/2026
一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
12/19/2025
专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
12/01/2025
DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
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