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Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
09/18/2025
PNP双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI 3333-8封装。
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
09/17/2025
提供小尺寸、散热效率高的PowerDI 3333-8封装，适用于高密度产品。
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
07/24/2025
额定电压为30V、60V和100V，具有出色的导通效率和热性能。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
11/14/2024
采用专有结构，可实现超低VCE(SAT) 性能。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
10/01/2024
采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
08/01/2024
20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻RDS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
06/24/2024
设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
05/01/2024
在保持开关性能的同时，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
05/01/2024
采用紧凑型DFN2020-3封装，其占位面积比SOT-23封装小50%。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
04/01/2024
设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
01/01/2024
具有低导通电阻和低输入电容，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
06/02/2023
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
03/30/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，能够尽可能降低导通损耗。
Diodes Incorporated MJD 车规中功率晶体管
Diodes Incorporated MJD 车规中功率晶体管
03/21/2023
这些器件已通过 AEC-Q101 认证，具有 PPAP 功能，并在经过 IATF16949 认证的设施中制造。
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
03/06/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
01/24/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
01/18/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
01/17/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，可确保最低导通状态损耗。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
11/23/2022
设计用于在雪崩模式下工作的硅平面双极晶体管。
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
05/27/2026
先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
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04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
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04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
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04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
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04/02/2026
相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
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03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
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03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
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03/27/2026
凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
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03/27/2026
性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
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03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
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03/20/2026
一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
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03/17/2026
该系列为N沟道标准电平80V或100VMOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
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03/17/2026
该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
03/09/2026
设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
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