Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。

英飞凌CoolSiC MOSFET采用分立封装，适合用于硬开关和谐振开关拓扑，例如功率因数校正 (PFC) 电路、双向拓扑和直流-直流转换器或直流-交流逆变器。出色的寄生导通效应抗扰性，可实现具有标杆性的低动态损耗，甚至在桥接拓扑的零电压关断时亦是如此。英飞凌TO-和SMD产品设有开尔文源极引脚，可优化开关性能。

英飞凌为碳化硅分立式产品带来一系列精选驱动器IC产品，满足超快速碳化硅MOSFET开关特性的需求。CoolSiC MOSFET和EiceDRIVER™栅极驱动器IC共同利用SiC技术的优势：提高效率、节省空间、降低重量、减少元件数量以及提高系统可靠性。

技术特性

• 出色的栅氧化层可靠性
• 稳定、坚固的体二极管
• 在硬开关拓扑（例如伺服驱动器）中表现出色
• 快速开关速度下开关损耗最低
• 具有抗寄生导通效应的稳健性，因此易于设计
• 短路额定值3µs
• 在电动汽车充电等软开关拓扑中表现出色
• 开关损耗最低，易于设计
• 可应用0V关断

应用优势

• 太阳能应用中的CoolSiC MOSFET
• 在逆变器重量不变的情况下，逆变器功率增加一倍
• 与硅基替代产品相比，在高工作温度下效率降低显著减少
• 功率密度可提高达2.5倍
• 显示最大效率超过99%
• 储能系统中的CoolSiC MOSFET
• 损耗降低多达50%
• 在不增加电池尺寸的情况下增加能量高达2%
• 服务器和电信电源中的CoolSiC™ MOSFET
• 将损耗降低高达30%
• 将密度增加一倍
• 电动汽车充电用CoolSiC MOSFET
• 充电时间减半
• 元件数量减少50%，但提高效率
• 由于效率更高，降低拥有成本
• 降低冷却工作量

xEV应用

• 逆变器主要优势
• 电池利用率提高5-10%
• 提高功率密度，系统尺寸减小达80%
• 与Si-IGBT相比，降低轻负载条件下的导通损耗
• 板载充电器优势
• 可实现更小的双向3相充电器
• 更快的开关速度有助于缩小无源元件的尺寸
• PFC和DC-DC级效率可提高多达1%
• HV DC-DC转换器优势
• 提供更高开关频率
• 增强功率密度
• 提高集成度