STMicroelectronics STripFET 功率 MOSFET
这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
特性
- Enhancement-mode MOSFETs
- Exhibits high current and low RDS(on)
- Low switching gate charge and high avalanche ruggedness
应用
- Motor control
- UPS
- DC/DC converters
- Induction heater vaporizers
- Solar
Featured MOSFETs
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STripFET™ F7 Power MOSFETs
Enhanced trench-gate structure with fast and efficient switching for simplified designs.
STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET
采用专有STripFET™技术的增强模式MOSFET。
STMicroelectronics STripFET V™功率MOSFET
采用专有STripFET™技术的增强模式MOSFET
STMicroelectronics STripFET III™功率MOSFET
采用专有STripFET™技术的增强模式MOSFET。
STMicroelectronics STripFET II™功率MOSFET
采用专有STripFET™技术的增强模式MOSFET。
STMicroelectronics STripFET I™功率MOSFET
采用独特的“单一特性尺寸”带状工艺的功率MOSFET。
STMicroelectronics 符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET
采用沟槽式低压技术，实现了非常低的导通损耗。
Associated Development Tool
STMicroelectronics STEVAL-SPIN3204评估板
基于STSPIN32F0B三相BLDC控制器的三相无刷直流电机驱动器板。
STMicroelectronics EVLSPIN32G0A1无刷电机驱动器评估板
采用具备STM32G0 MCU的STSPIN32G0A1先进无刷电机控制器。