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ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
08/06/2025
此MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
08/04/2025
HSMT8AG封装符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，适用于ADAS、信息娱乐、照明和车身等应用。
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，非常适合用于汽车应用。
ROHM Semiconductor 车规级40V/60V LV-MOSFET
ROHM Semiconductor 车规级40V/60V LV-MOSFET
07/18/2025
集高性能和高可靠性于一体，可满足车辆应用的严格要求。
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
07/14/2025
具备1200V VDS、低导通电阻、快速开关速度以及快速恢复时间。
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
06/30/2025
具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
06/16/2025
具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
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    onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
    04/14/2026
    Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
    ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    04/02/2026
    相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    03/31/2026
    适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    03/20/2026
    一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
    Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
    Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
    03/17/2026
    该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
    03/17/2026
    该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
    03/17/2026
    该系列为N沟道标准电平80V或100VMOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。
    onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
    03/13/2026
    专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
    Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
    Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
    03/09/2026
    设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    03/06/2026
    Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
    03/05/2026
    80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
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