STMicroelectronics 1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的高速 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。得益于 ST 高级的沟槽式栅极场终止高速技术，这些 IGBT 在 T_J=150C 时具有 5μs 的最低短路承受时间、最少的集电极电流关闭拖尾，以及低至 2.1 V （典型值）的极低饱和电压_(sat)），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是不间断电源、焊接机、光伏逆变器、功率因数校正、及高频转换器应用的理想选择。