新款晶体管
iDEAL Semi iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET is a 200V N-channel device developed for automotive and power switching applications. The MOSFET implements SuperQ technology in a TO-220 package and supports high-current switching with low on-resistance for efficient power control.
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iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFETAutomotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.2026/8/12
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STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。2026/8/11 -
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。2026/8/10 -
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管设计用于高效大功率开关应用。2026/8/10 -
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。2026/7/30 -
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。2026/7/30 -
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。2026/7/21 -
onsemi GaNEXUS™ GaN FET宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。2026/7/8 -
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。2026/6/19 -
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETsBased on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.2026/6/18 -
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。2026/6/12 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。2026/5/27 -
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。2026/5/18 -
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。2026/5/6 -
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。2026/4/14 -
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。2026/4/10 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.2026/4/7 -
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。2026/4/6 -
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。2026/4/2 -
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET适用于高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。2026/3/31 -
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。2026/3/31 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。2026/3/27 -
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。2026/3/27 -
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETDelivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.2026/3/24 -
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。2026/3/20