最新分立半导体

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分离式半导体类型

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onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET

12/26/2025

- 该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。

onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET

12/19/2025

- 专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

12/04/2025

- 具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。

onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET

11/25/2025

- 采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。

onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET

11/25/2025

- 采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。

onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET

11/20/2025

- 具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。

onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET

11/20/2025

- 具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。

onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET

11/19/2025

- 专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。

onsemi NZ8P齐纳保护二极管

11/19/2025

- 旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11/19/2025

- 兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。

onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET

11/19/2025

- 一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。

onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET

10/14/2025

- 该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。

onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET

10/14/2025

- 封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT

10/13/2025

- 该器件性能优异，具备低通态电压与低开关损耗。

onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT

10/13/2025

- 该器件性能优异，具有低导通损耗和低开关损耗。

onsemi T10低/中压MOSFET

10/06/2025

- 40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。

onsemi MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管

09/23/2025

- 这些设备为需要瞬态过电压能力的应用而设计。

onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管

09/09/2025

- 设计用于替换单个设备和相关外部偏置电阻网络。

onsemi NSBCMXW NPN偏置电阻晶体管

09/08/2025

- 设计用于替代单个设备及其相关的外部偏置电阻网络。

onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET

09/08/2025

- 优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。

onsemi SZMM3ZxT1G汽车级齐纳稳压器

09/05/2025

- 专为汽车电子系统的电压调节与保护而设计。

onsemi NxJS3151P单P沟道功率MOSFET

09/04/2025

- 非常适合用于功率密度和可靠性至关重要的空间受限设计。

onsemi NXH600N10x三级NPC逆变器模块

08/25/2025

- 采用F5BP封装的功率模块，内含I型中性点钳位三级逆变器。

onsemi SZMMSZ52xT1G汽车用齐纳稳压器

08/25/2025

- 设计用于提供精确的电压调节和过压保护。

onsemi MURS220/NRVUS220V/SURS8220整流器

08/21/2025

- 专为效率和热性能至关重要的高速开关应用而设计。

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过滤方式：

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay 功率碳化矽肖特基二极管

02/03/2026

- 可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP高压快速恢复二极管

01/20/2026

- 600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。

Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管

01/20/2026

- 一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。

Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管

01/19/2026

- 一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。

Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管

01/19/2026

- 25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。

Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管

01/13/2026

- 保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。

Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管

01/08/2026

- 提供超低电容、双向传输和电平保护。

onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET

12/26/2025

- 该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET

12/23/2025

- 凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。

onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET

12/19/2025

- 专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。

Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET

12/19/2025

- 专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。

STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管

12/04/2025

- 电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

12/04/2025

- 具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。

Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管

12/01/2025

- DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。

onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET

11/25/2025

- 采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。

onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET

11/25/2025

- 采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管

11/24/2025

- 设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。

Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode

11/20/2025

- Provides accurate voltage regulation with low leakage current and is AEC-Q101 qualified.

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