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ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
08/06/2025
此MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
08/04/2025
HSMT8AG封装符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，非常适合用于汽车应用。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，适用于ADAS、信息娱乐、照明和车身等应用。
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
06/30/2025
具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
06/16/2025
具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
06/04/2025
一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P沟道功率MOSFET
03/13/2025
AEC-Q101可用于汽车应用，包括信息娱乐、照明、ADAS和车身。
ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P沟道功率MOSFET
03/13/2025
AEC-Q101可用于信息娱乐、照明、ADAS和车身等汽车应用。
ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N沟道功率MOSFET
03/12/2025
80V漏极-源极电压，导通电阻低，采用大功率TO263AB封装。
ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET
ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET
01/16/2025
专为电机驱动、开关应用和DC/DC转换器的性能而设计。
ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N沟道功率MOSFET
08/01/2024
40V、80A、100%经过雪崩测试，符合AEC-Q101标准和RoHS指令。
ROHM Semiconductor BSS138WAHZG N沟道60V 310mA小信号MOSFET
ROHM Semiconductor BSS138WAHZG N沟道60V 310mA小信号MOSFET
06/20/2024
具有各种特性，可优化性能和可靠性。
ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET
06/11/2024
符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET，采用小型3.3mmx3.3mm大功率封装。
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    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    11/20/2025
    具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    11/20/2025
    具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    10/31/2025
    具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    10/31/2025
    将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
    Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
    10/21/2025
    具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
    Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
    10/17/2025
    该器件适用于高功效的直流-直流转换器，采用SOP Advance (N)封装。
    ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
    ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
    10/16/2025
    AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
    onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
    onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
    10/14/2025
    封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
    onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
    10/14/2025
    该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
    IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
    IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
    10/08/2025
    基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
    onsemi T10低/中压MOSFET
    onsemi T10低/中压MOSFET
    10/06/2025
    40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
    10/02/2025
    为驱动器、电源和园艺工具中的高效电源转换提供定制解决方案。
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
    09/30/2025
    高性能N沟道晶体管专为要求苛刻的电源转换应用而设计。
    Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
    Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
    09/29/2025
    采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
    onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
    09/08/2025
    优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
    查看：322 的 1 - 25