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ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
08/06/2025
此MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
08/04/2025
HSMT8AG封装符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，适用于ADAS、信息娱乐、照明和车身等应用。
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，非常适合用于汽车应用。
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
07/14/2025
具备1200V VDS、低导通电阻、快速开关速度以及快速恢复时间。
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
06/30/2025
具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
06/16/2025
具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
06/04/2025
一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P沟道功率MOSFET
03/13/2025
AEC-Q101可用于汽车应用，包括信息娱乐、照明、ADAS和车身。
ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P沟道功率MOSFET
03/13/2025
AEC-Q101可用于信息娱乐、照明、ADAS和车身等汽车应用。
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    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    02/05/2026
    High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    12/01/2025
    DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    11/20/2025
    具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    11/20/2025
    具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
    onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
    onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
    11/19/2025
    兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
    STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
    11/07/2025
    基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    10/31/2025
    具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    10/31/2025
    将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
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