分离式半导体类型
更改类别视图
已应用过滤器:
制造商 = onsemi 返回“产品”选项卡，以修改您的当前过滤条件。

onsemi GaNEXUS™ GaN FETs
onsemi GaNEXUS™ GaN FETs
07/08/2026
Wide-bandgap material properties for low gate & output charge, fast switching & enhanced efficiency.
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
onsemi NZ8P齐纳保护二极管
onsemi NZ8P齐纳保护二极管
11/19/2025
旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
11/16/2025
采用紧凑型设计，封装尺寸为5mm x 6mm SO8-FL，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
10/14/2025
封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
10/14/2025
该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
10/13/2025
该器件性能优异，具有低导通损耗和低开关损耗。
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
10/13/2025
该器件性能优异，具备低通态电压与低开关损耗。
onsemi T10低/中压MOSFET
onsemi T10低/中压MOSFET
10/06/2025
40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管
09/23/2025
这些设备为需要瞬态过电压能力的应用而设计。
onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管
onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管
09/09/2025
设计用于替换单个设备和相关外部偏置电阻网络。
onsemi NSBCMXW NPN偏置电阻晶体管
onsemi NSBCMXW NPN偏置电阻晶体管
09/08/2025
设计用于替代单个设备及其相关的外部偏置电阻网络。
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
09/08/2025
优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
查看：221 的 1 - 25

    onsemi GaNEXUS™ GaN FETs
    onsemi GaNEXUS™ GaN FETs
    07/08/2026
    Wide-bandgap material properties for low gate & output charge, fast switching & enhanced efficiency.
    Bourns CDDFN2 Surface Mount TVS Diodes
    Bourns CDDFN2 Surface Mount TVS Diodes
    07/07/2026
    ESD, EFT, and surge protection for external ports of electronic devices, limiting critical damage.
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
    06/30/2026
    超低电容单线，28V TVS二极管，保护高速信号线免受ESD和EOS的影响。
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    06/29/2026
    Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
    Littelfuse TVS SPA二极管阵列
    Littelfuse TVS SPA二极管阵列
    06/26/2026
    TVS二极管阵列用于保护数据和电源接口免受ESD、EFT和浪涌事件的影响。
    Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
    Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
    06/26/2026
    双向汽车级TVS二极管，采用紧凑型SOD-323封装。
    Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
    Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
    06/25/2026
    采用双向配置，提供3V至36V的多种电压选项。
    Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
    Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
    06/22/2026
    专为保护高速差动线路而设计的低电容设备。
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    06/19/2026
    具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06/18/2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
    06/12/2026
    紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    05/27/2026
    先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    05/18/2026
    旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
    Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
    Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
    05/12/2026
    符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准，为数据端口提供保护。
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    05/06/2026
    电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    05/04/2026
    轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    04/24/2026
    电压高达800V，浪涌电流能力高达100A，额定温度为+150°C。
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    04/24/2026
    额定电流为35A，提供TO-220AB、TO-220隔离型及TO-263封装。
    RECOM Power IC、变压器及分立器件解决方案
    RECOM Power IC、变压器及分立器件解决方案
    04/24/2026
    提供适用于能源、工业和医疗应用的理想元器件。
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
    查看：1202 的 1 - 25