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onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NZ8P齐纳保护二极管
onsemi NZ8P齐纳保护二极管
11/19/2025
旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
11/16/2025
采用紧凑型设计，封装尺寸为5mm x 6mm SO8-FL，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
10/14/2025
封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
10/14/2025
该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT
10/13/2025
该器件性能优异，具备低通态电压与低开关损耗。
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT
10/13/2025
该器件性能优异，具有低导通损耗和低开关损耗。
onsemi T10低/中压MOSFET
onsemi T10低/中压MOSFET
10/06/2025
40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管
09/23/2025
这些设备为需要瞬态过电压能力的应用而设计。
onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管
onsemi NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管
09/09/2025
设计用于替换单个设备和相关外部偏置电阻网络。
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
09/08/2025
优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
onsemi NSBCMXW NPN偏置电阻晶体管
onsemi NSBCMXW NPN偏置电阻晶体管
09/08/2025
设计用于替代单个设备及其相关的外部偏置电阻网络。
onsemi SZMM3ZxT1G汽车级齐纳稳压器
onsemi SZMM3ZxT1G汽车级齐纳稳压器
09/05/2025
专为汽车电子系统的电压调节与保护而设计。
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    Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
    Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
    05/12/2026
    Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    05/04/2026
    轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    04/24/2026
    提供35A额定电流，并可提供TO-220AB、TO-220隔离和TO-263封装。
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04/24/2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    04/24/2026
    电压最高可达800V，浪涌电流能力最高可达100A，以及额定温度为+150°C。
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
    Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
    Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大VRRM在100V和1000V 之间。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    04/02/2026
    相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    03/31/2026
    适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
    03/27/2026
    该系列二极管采用小巧封装，可提供卓越保护，具备出色的ESD性能。
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    03/24/2026
    Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    03/20/2026
    一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
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