分离式半导体类型
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ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
08/21/2025
一款硅外延平面型超快恢复二极管，具有低VF 和低开关损耗特性。
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
08/21/2025
汽车等级二极管采用超小型封装，适用于高频开关。
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
08/20/2025
采用超小型模塑封装，具有低电容，适用于高频开关应用。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
08/19/2025
这些设备采用小功率模塑封装，适用于电压调节应用。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
08/06/2025
此MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor RBR40NS肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBR40NS肖特基势垒二极管
08/04/2025
设计用在开关电源中，具有100A峰值正向浪涌电流。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
08/04/2025
HSMT8AG封装符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。
ROHM Semiconductor PBZLx齐纳二极管
ROHM Semiconductor PBZLx齐纳二极管
08/04/2025
设计用于电压调节应用，具有1000mW的最大功率耗散。
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    Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
    Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
    05/12/2026
    Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    设计用于保护敏感 电子设备免受电压瞬变的影响。
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    05/04/2026
    轴向引线、FlatSuppressX™扁平低压接双向TVS二极管。
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    采用10/1000µs波形时，峰值脉冲功率能力可达5000W，耗散功率可达6.5W。
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    04/24/2026
    电压最高可达800V，浪涌电流能力最高可达100A，以及额定温度为+150°C。
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    04/24/2026
    提供35A额定电流，并可提供TO-220AB、TO-220隔离和TO-263封装。
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04/24/2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
    Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
    Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大VRRM在100V和1000V 之间。
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    04/02/2026
    相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    03/31/2026
    适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
    03/27/2026
    该系列二极管采用小巧封装，可提供卓越保护，具备出色的ESD性能。
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    03/24/2026
    Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    03/20/2026
    一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
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