onsemi PowerTrench技术
安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。 由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。
特性
- 在更高频率下降低开关损耗，能够最大限度地减少在高频开关过程中以热量形式散失的能量
- 更好的散热性能可减少给定功率水平下的发热
- 更小的导通电阻RDS(on) 可以减少导通损耗，有利于降低导通时的电阻值，从而进一步降低导通状态下的功率损耗
- 更小、更高功率密度的封装，支持更紧凑的电子设计趋势
- 符合AEC标准的40V至80V T10 MOSFET满足严格的汽车标准
- 与上一代产品相比，RSP降低了30%至40%，通过降低特定电阻提高了功率密度
- Qg 、Qsw 以及Qoss 的l两倍减小，能够降低开关损耗并且提升效率
- 更加平缓柔和的恢复二极管以及更低的反向恢复电荷Qrr，能够有效j减少振铃、过冲现象，并降低EMI/噪声干扰
- UIS 能力提升了10%，在规定条件下可允许更大的电流通过
应用示例
视频
信息图
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发布日期: 2024-06-14
| 更新日期: 2025-06-17